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與傳統(tǒng)電鍍技術(shù)相比，真空鍍膜具有鍍層薄，速度快，附著力好等優(yōu)勢，適合中國金屬、塑料等表面信息處理。且沒有廢水環(huán)境污染，在環(huán)保上具有存在一定發(fā)展優(yōu)勢，因此我們受到了社會市場的追捧。

常見的真空鍍膜工藝分為蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜、離子鍍膜和化學(xué)氣相沉積鍍膜。它們各有優(yōu)勢和針對性，如何選擇合適的真空鍍膜已成為生產(chǎn)企業(yè)發(fā)展和創(chuàng)新的必然課題。

一、真空蒸發(fā)鍍膜

真空蒸發(fā)鍍膜是在真空條件下，被蒸發(fā)的物質(zhì)被蒸發(fā)器加熱升華，蒸發(fā)的顆粒直接流向基片并沉積在基片上形成固體薄膜，或者蒸發(fā)的鍍膜材料被加熱的一種真空鍍膜方法。

優(yōu)點: 設(shè)備簡單，操作方便; 膜純度高，厚度可以更精確地控制; 成膜速度快，效率高。

缺點:密度差(只有理論密度的95%)；薄膜附著力小。

目前，真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)更多的應(yīng)用于中國建筑信息工程公司五金、衛(wèi)浴五金、鐘表、小五金，甚至輪轂、不銹鋼型材、家具、照明控制設(shè)備及酒店文化用品、裝飾品的表面進(jìn)行處理。

二、真空濺射鍍膜

當(dāng)具有數(shù)十電子伏特或更高動能的帶電粒子轟擊材料表面時，原子獲得足夠的能量飛濺到氣相中。真空濺射鍍膜是利用濺射現(xiàn)象來實現(xiàn)各種薄膜的制備。

優(yōu)點：膜厚可控性和重復(fù)性好；與基片的附著力強；膜層純度高質(zhì)量好；可制備與靶材不同的物質(zhì)膜。

缺點：成膜速度比蒸發(fā)鍍膜低；基片溫度高；易受雜質(zhì)氣體影響；裝置結(jié)構(gòu)較復(fù)雜。

目前最常用的濺射鍍膜技術(shù)是磁控濺射鍍膜技術(shù)。這種技術(shù)能增加與氣體的碰撞幾率，提高靶材的濺射速率，最終提高沉積速率。因此更適用于具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的功能性薄膜、裝飾領(lǐng)域、微電子領(lǐng)域。

三、真空離子鍍膜

真空離子鍍膜是在真空蒸發(fā)鍍和濺射鍍膜的基礎(chǔ)上不斷發(fā)展結(jié)合起來的一種鍍膜新技術(shù)。通過在等離子體中進(jìn)行分析整個氣相沉積形成過程，真空離子鍍膜技術(shù)工藝設(shè)計大大增加提高了膜層粒子作為能量，可以自己獲得更多更優(yōu)異性能的膜層，擴大了“薄膜”的應(yīng)用研究領(lǐng)域。

優(yōu)點: 附著力強，不易脫落; 提高涂膜覆蓋率; 涂布質(zhì)量; 成膜速度快，密度高，顆粒小。

缺點:基板必須是導(dǎo)電材料。

由于鍍膜技術(shù)性能更加出色，真空離子鍍膜有著更多更廣的應(yīng)用研究領(lǐng)域，目前我國主要可以應(yīng)用于：機械設(shè)計零件、飛機、船舶、汽車、排氣管、飛機作為發(fā)動機、高速轉(zhuǎn)動件、工具、超硬工模具等。

化學(xué)氣相沉積(CVD)

CVD技術(shù)使用氣態(tài)化合物或化合物的混合物在基底的加熱表面上反應(yīng)，從而在基底表面上形成非揮發(fā)性涂層。

優(yōu)點: 操作簡單，柔韌性強，適用于單一或復(fù)合薄膜和復(fù)合薄膜; 適用范圍廣; 沉積速度可達(dá)每分鐘幾微米到幾百微米，生產(chǎn)效率高; 適用于復(fù)雜形狀的基材涂布; 涂布致密性好。

缺點:沉積溫度高容易導(dǎo)致基板性能下降；反應(yīng)氣體和尾氣可能具有一定的腐蝕性、易燃性和毒性；涂層很薄。